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适用于RFID的LSI
  富士通半导体开发并生产了适用于RFID的LSI,覆盖了HF(高频:13.56MHz)和UHF(超高频:860至960MHz)。嵌入式FRAM是其最佳的特性之一;FRAM可以实现更高的速度写入,更低的功耗和更高的耐久力。我们推出的具有大存储尺寸的无源RFID广泛用于世界各地。
适用于RFID标记的富士通LSI的主要特性
  ● 高速写入性能:通过嵌入式FRAM的高性能增强了写入操作的吞吐量。
  ● 稳定的通信距离:在低功耗模式下写入,在写入和读取操作上都实现了相同的通信距离。
  ● 相比之下,E2PROM的标记在写入操作上消耗了更大量的功率,让通信距离变得更短。
  ● 高密度存储器:高速写入特性使其在标记上成为大容?#30475;?#20648;器。但是标记嵌入式E2PROM的速度还不够快,不足以采用大容?#30475;?#20648;器。
  ● 耐久力长:保证了最高1百万兆次的读/写操作,这一特性实现了标识的长期应用或复用。
  ● 抗辐射性强?#26477;词?#32463;过伽马射线的照射或干扰,还是能保持数据。同?#20445;?#23884;入标记的E2PROM从理论上讲,抗辐射能力较弱。
  ● 适用的国际标准:富士通的RFID LSI产品阵列符合ISO15693和ISO18000-3, 6标准。
可提供的FRAM RFID标记应用
采用FRAM,RF标记的高速性能图片
  <高速性能的作用>
  ● 标记本身的记录历史和质量检测
  ● 不打开封装的情况下,在设备标记上变更?#38382;?br />   ● 通过提升输出量来降低系统成本
  ● 在离线时能?#36824;?#24314;系统
FRAM RFID
P/N 音频范围 存储器性能 命令 串行接口 数据保留时间 读/写耐受力
MB97R803A/B 256Kbit 2.7 至 5.5V 1MHz -40 至 +85℃ 1012次 (1万亿次) 10年 (+70℃)
MB97R804A/B 128Kbit 2.7 至 3.6V 400KHz -40 至 +85℃ 1012次 (1万亿次) 10年 (+85℃)
MB97R7051 64Kbit 2.7 至 3.6V 400KHz -40 至 +85℃ 1012次 (1万亿次) 10年 (+85℃)
MB89R118C 64Kbit 3.0 至 5.5V 400KHz -40 至 +85℃ 1012次 (1万亿次) 10年 (+85℃)
MB89R119B 16Kbit 2.7 至 3.6V 1MHz -40 至 +85℃ 1012次 (1万亿次) 10年 (+85℃)
MB89R112 16Kbit 3.0 至 5.5V 1MHz -40 至 +85℃ 1012次 (1万亿次) 10年 (+85℃)
FerVID系列产品发展路线图
适用于嵌入式应用MB9BF506RA-EVB-RF-01的RFID开发?#20934;?/div>
  搭载了FM3微控制器的MB9BF506R的微控制器板和搭载了MB97R804B的天线板通过一个SPI接口相结合。微控制器板具有温?#21462;?#28287;度和光源传感器, 一个3轴加速计,一个时钟函数和一个LCD,都通过一个I2C接口与它们互联。传感器周期性的数据采集由LCD显示,并可以运行由阅读器/记录器读取的应用。天线板的主频率约为920MHz。当通过PC上的USB连接器将天线板与PC相连接?#20445;?#24494;控制器固件可以在板上进行写入。可以为评?#26469;?#24314;和执行演示及程序。可以通过将ICE接口用作适用于微控制器开发?#20934;?#30340;固件对天线板进行应用。
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