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独立存储器(I2C/SPI/并行接口产品)
  FRAM是集合了ROM和RAM两种存储器的优势。擅于进行高速写入、具有长的耐久力和低功耗。富士通半导体提供了采用串行(I2C和SPI)和并行外设的FRAM产品,目前4Kb至4Mb的产品也已量产。
FRAM的优势
  与SRAM相比
  独立的FRAM存储器,因为具有Pseudo-SRAM I/F,因此与SRAM之间具有的高度兼容性。利用FRAM取代SRAM,您可以获得的优势如下:
  1. 总的成要缩减
  采用SRAM,你需要检测其电池状态。但是FRAM却让你免去了进行电池检测的困扰。而且,FRAM不需要电池槽、防倒流二极管和更多的空间,而这些都是SRAM所需的。FRAM的单芯片解决方案可以节省空间和成本。
  ● 维护自由;无需更换电池
  ● 缩小的器件尺寸;可以省去大量的器件
  2. 环保型产品(减少了环境负担)
  用过的电池成为工业废料。在生产过程中,与SRAM相比,FRAM能够降低?#35805;?#30340;CO2排放量。FRAM对于环保有益。
  ● 无废弃电池
  ● 降低工业负荷,实现环保
  与E2PROM/闪存相比
  与传统的非?#36164;?#24615;存储器,如E2PROM和闪存相比,FRAM具有更快的写入、更高耐久力和更低功耗等优势。用FRAM取代E2PROM和闪存还具有更多优势,具体如下:
  1. 性能提升
  FRAM的高速写入能够在电源中?#31995;?#30636;间备份数据。不仅如此,与E2PROM和闪存相比,FRAM能够更频繁的记录数据。当写入数据?#20445;珽2PROM和闪存需要高压,因此,消费的功率比FRAM更多。如果嵌入FRAM,那么电池供电器件中的电池的寿命将更长。
  总之,FRAM具有下列优势:
  ● 能够在电源中?#31995;?#30636;间备份数据
  ● 能够进行频繁的数据记录
  ● 能够保证更长的电池寿命
  2. 总的成本缩减
  在为每个产品写入出厂?#38382;保?#19982;E2PROM 和闪存相比,FRAM可以缩减写入时间。而且,FRAM可以为您提供一种芯片解决方案,避免采用几个存储器来保存数据,而E2PROM却不能实现。因此,利用FRAM可以降低总成本!
  ● 当写入出厂?#38382;保?#32553;短了写入时间
  ● 减掉了产品上很多的部件
产品列表
  串行闪存
  I2C接口
  与世界标准,I2C BUS完全兼容。利用两个端口,几个时钟(SCL)和串行数据(SDA)控制每个函数。
产口型号 存储器密度 电源电压 工作频率
(最大?#25285;?/strong>
工作温度 读取/写入
周期
保证数据
保存期限
封装
MB85RC256V 256Kbit 2.7 至 5.5V 1MHz -40 至 +85℃ 1012次 (1万亿次) 10年 (+70℃) SOP-8
MB85RC128
128Kbit 2.7 至 3.6V 400KHz -40 至 +85℃ 1012次 (1万亿次) 10年 (+85℃) SOP-8
MB85RC64
64Kbit 2.7 至 3.6V 400KHz -40 至 +85℃ 1012次 (1万亿次) 10年 (+85℃) SOP-8
MB85RC64V
64Kbit 3.0 至 5.5V 400KHz -40 至 +85℃ 1012次 (1万亿次) 10年 (+85℃) SOP-8
MB85RC16
16Kbit 2.7 至 3.6V 1MHz -40 至 +85℃ 1012次 (1万亿次) 10年 (+85℃) SOP-8
SON-8
MB85RC16V
16Kbit 3.0 至 5.5V 1MHz -40 至 +85℃ 1012次 (1万亿次) 10年 (+85℃) SOP-8
MB85RC04V 4Kbit 3.0 至 5.5V 1MHz -40 至 +85℃ 1012次 (1万亿次) 10年 (+85℃) SOP-8
  SPI接口
  在25MHz(最大?#25285;?#39057;率下,实现了最大时?#26377;?#33021;速?#21462;?
产口型号 存储器密度 电源电压 工作频率
(最大?#25285;?/strong>
工作温度 读取/写入
周期
保证数据
保存期限
封装
MB85RS2MT 2Mbit 1.8 to 2.7V 25MHz -40 to +85℃ 1013次 (10万亿次) 10年 (+85℃) SOP-8
DIP-8
2.7 to 3.6V 30MHz(*1)
MB85RS1MT 1Mbit 1.8 to 2.7V 25MHz -40 至 +85℃ 1013次 (10万亿次) 10年 (+85℃) SOP-8
2.7 至 3.6V 25MHz(*1)
MB85RS256B
256Kbit 2.7 至 3.6V 25MHz -40 至 +85℃ 1012次 (1万亿次) 10年 (+85℃) SOP-8
MB85RS128B 128Kbit 2.7 至 3.6V 25MHz -40 至 +85℃ 1012次 (1万亿次) 10年 (+85℃) SOP-8
MB85RS64 64Kbit 2.7 至 3.6V 20MHz -40 至 +85℃ 1012次 (1万亿次) 10年 (+85℃) SOP-8
MB85RS64V 64Kbit 3.0 至 5.5V 20MHz -40 至 +85℃ 1012次 (1万亿次) 10年 (+85℃) SOP-8
MB85RS16 16Kbit 2.7 至 3.6V 20MHz -40 至 +85℃ 1012次 (1万亿次) 10年 (+85℃) SOP-8
SON-8
  并行存储器
  可以像SRAM一样采用并行读取和写入。不需要利用任何电池来保存数据。
产口型号 存储器密度 电源电压 工作频率
(最大?#25285;?/strong>
工作温度 读取/写入
周期
保证数据
保存期限
封装
MB85R4001A 4Mbit (512Kx8bit) 3.0 至 3.6V 150ns -40 至 +85℃ 1010次 (100亿次) 10年 (+55℃) TSOP-48
MB85R4002A 4Mbit (256Kx16bit) 3.0 至 3.6V 150ns -40 至 +85℃ 1010次 (100亿次) 10年 (+55℃) TSOP-48
MB85R1001A 1Mbit (128Kx8bit) 3.0 至 3.6V 150ns -40 至 +85℃ 1010次 (100亿次) 10年 (+55℃) TSOP-48
MB85R1002A 1Mbit (64Kx16bit) 3.0 至 3.6V 150ns -40 至 +85℃ 1010次 (100亿次) 10年 (+55℃) TSOP-48
MB85R256F
256Kbit 2.7 至 3.6V 150ns -40 至 +85℃ 1010次 (100亿次) 10年 (+55℃) SOP-28
TSOP-28
FRAM产品阵列
  未来我们还将通过技术来发来提高一些技术规格,如工作电压和存取速度,并提供多种产品。富士通半导体能够利用其它公司不能提供的富士通独有技术,提供广泛的单独FRAM产品。
  4Kb至4Mb产品现已投入量产。

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